東京エレクトロン(TEL)は、300mmプロセス対応ALD(Atomic Layer Deposition)成膜装置「NT333」を製品化し、2012年10月より受注を開始すること発表した。

同装置は、従来のALD手法とは異なるコンセプトを用いることで、反応ガスの十分な吸着・酸化による原子レベルでの膜厚制御とALDサイクルの高速化によるシステムスループット100枚/時以上の生産性、同サイクル内への改質ステップ取り込みによる高品質成膜を実現し、従来のALD-SiO2膜では課題であった低温域(400℃以下)での膜質においても熱酸化膜同などの耐フッ酸性、リーク特性を実現することが可能となる。

なお同社では第1弾製品として、高品質・高生産性ALD-SiO2膜向け装置からリリースを開始し、順次クリティカルアプリケーションに向けた製品拡充を図っていく予定としている。