東芝は2月20日、携帯電話の電波の増幅に使用するCMOSパワーアンプの電波の歪みを低減する回路技術を開発し、CMOSパワーアンプに集積したことを開発した。同技術の詳細は、米国・サンフランシスコで開催中の半導体国際学会「ISSCC2012」において2月20日(米国時間)に発表された。

CMOSパワーアンプは携帯電話の電波を遠くまで届けるための増幅に使われるが、従来は電波状態を安定させるための歪み低減処理は演算量が多く回路が大きくなるため、携帯電話用のパワーアンプに集積できなかった。また、設置面積が限られているため外付け回路にもできなかった。

今回、同社は携帯電話が基地局から遠距離にある時のみ電波が歪むことに着目。パワーアンプからの出力パワーが0.2W以上となる時に限定して歪み低減技術を作用させることで処理を単純化して回路を小さくし、CMOSパワーアンプへの集積を実現した。

歪み低減回路を集積したCMOSパワーアンプは、チップ上で自律的に歪みを低減でき、外部からの制御や演算が不要であるため、パワーアンプ本体だけを置き換えるだけで良いという汎用性を有する。さらに、電波状態の変動を自己制御することにより高い安定性を実現し、歪み低減を行わない場合に比べ、電力効率が1.4倍改善したという。

なお同技術は、まず3G用CMOSパワーアンプから適用し、次世代通信への応用も検討する。また、同技術は携帯電話の電波の増幅をより低消費電力で行うための技術の1つであるため、今後も周辺技術の開発を進め、高効率・小型のCMOSパワーアンプの実現、および製品への早期搭載を目指すとしている。