大日本スクリーン製造(DNS)は、次世代半導体製造の不純物導入工程として注目される、モノレイヤ(単分子層)ドーピングおよび活性化技術の開発促進とその実用化を目的に、世界の主要半導体メーカーなどが参加するコンソーシアムである米SEMATECHとの共同開発に合意したことを発表した。

次世代半導体デバイスの製造では、より省電力で高速なトランジスタを開発するために、プロセス欠陥や静電容量制御による漏れ電流を最小限に抑える技術が求められており、最新のナノエレクトロニクスでは、オフ状態でより優れた漏れ電流管理を実現する、活性ドーパント濃度の高い、極浅で急峻かつ無欠陥の接合(ウルトラ・シャロー・ジャンクション)が不可欠となっている。

また、立体型デバイス構造や高移動度化合物半導体の登場により、不純物注入の等方向化や格子損傷の最少化が重要になってきており、ITRS(国際半導体技術ロードマップ)の要求事項を満たすことが課題となっている。

今後両社は、従来の不純物注入に代わる手段としてモノレイヤー(単分子層)ドーピングと活性化法について技術協力を行い、FinFET、ナノワイヤ、メモリなどに使われる、シリコンおよび非シリコン高移動度物質における平面型および立体型デバイスの極浅接合の実用化に向けた開発を行っていく予定である。