ルネサス エレクトロニクスは12月14日、40nmプロセスを採用したマイコン内蔵用フラッシュメモリを開発したことを発表した。

同メモリは、同社が90nmプロセスマイコンにて採用したMONOS構造を改良することでマイコンで求められる品質と信頼性を実現。試作チップでは120MHzでの読み出しと、20年間のデータ保持時間、12万5000回の書き換えサイクル数(データ保存用の場合)を確認したという。

同社では同メモリを用いて40nmプロセスのフラッシュマイコンを製品化した場合、ロジック部分も微細化により、高速化、低消費電力化に加え、トランジスタを同社従来品である90nm製品比で約4倍、55nmプロセスと比べても約2倍多く内蔵でき、マルチCPUコア対応、機能安全対応や、セキュリティ、複数規格のインタフェースを搭載したマイコンなどが開発可能となるとしており、製品化第一弾として車載用フラッシュメモリ内蔵マイコンを2012年初秋までに製品化、サンプル出荷を開始する予定としている。