東芝は、Hynix SemiconductorとMRAM技術を共同で行っていくことに合意し、韓国・利川にあるHynixの研究施設に両社の技術者を集結させることを発表した。
東芝はNAND型フラッシュメモリを半導体事業の柱に据えているが、MRAMを組み合わせたシステムを作ることで、今後、NAND型フラッシュメモリの新たなアプリケーションの創出が期待できるとしている。
今回の共同開発により、開発コストの負担を抑制しつつ、MRAMの実用化に向けた取り組みの加速を目指すほか、MRAMの早期実用化によるメモリシステムビジネスの推進を図りたいとしており、今後の開発動向を確認しながら、将来的な製造での協業についても、今後、協議していく予定としている。