三菱電機は、世界最高クラスとなる電力付加効率67%を達成した衛星搭載用C帯GaN HEMT増幅器を開発したことを発表した。

電力付加効率67%を達成した衛星搭載用C帯GaN HEMT増幅器

同開発品は、MIM(Metal Insulator Metal)キャパシタとスパイラルインダクタで構成される高調波処理回路をGaN基板上のHEMTそれぞれに形成し、2倍の高調波(2次高調波)を精度よく各GaN HEMTに反射することで効率を改善している。

その結果、従来品比で7ポイントの改善となる電力付加効率67%を達成したという。また、入力と出力のインピーダンスを整合する回路も内蔵している。

出力は107W(50.3dBm)で、17.4mm×24.0mm×4.3mmパッケージを採用し、重量は7.1gとなっている。

なお、同社では同開発品を2012年中に製品化するとともに、開発成果を高出力・高効率が必要な移動体通信の基地局用増幅器などにも広く適用していく予定としている。