Cypress Semiconductorやルネサス エレクトロニクスが参加しているQDRコンソーシアムは、Quad Data Rate(QDR)SRAMの次世代デバイス「QDRII+ Xtreme」を発表した。

同デバイスは、最大633MHzのクロック速度で動作する予定で、既存のQDR II+デバイスとの各種互換性を維持しているため、ネットワークスイッチやルータ、集約プラットフォームのメーカーは、大規模な設計変更を行うことなく、システム内でクロック速度を向上させるだけで、より高いパフォーマンスを引き出すことができるようになるという。

QDR II+ Xtremeは、x18またはx36のワード幅と、4または2のバースト長で提供される予定で、バースト4デバイスは、6億3300万回/秒のランダムトランザクション速度(RTR)を達成し、633MHzのクロック速度で動作するQDR SRAMの最上位製品となる。

一方、バースト2デバイスは、450MHzの周波数で動作し、9億回/秒のRTRを達成する。これは、同じ周波数で動作する前世代バースト4デバイスのRTRの2倍に相当する。RTRは、1秒間の完全なランダムメモリアクセスの数として定義され、ライン/スイッチング速度の向上を可能にするメモリ指標。

なお、同デバイスの36Mビット品および72Mビット品について同コンソーシアムに加入しているCypress Semiconductorは、最初のエンジニアリングサンプルを2011年半ばに主要カスタマ向けに供給を開始する予定としている。