SanDiskは4月20日(米国時間)、19nmプロセスを採用し、2ビット/セル(X2)をベースとした64GビットNAND型フラッシュメモリを発表した。

同社では、独自のプログラミングアルゴリズムとマルチレベルのデータストレージ管理スキームによるABL(オールビットライン)アーキテクチャを採用しており、性能や信頼性を損なわずにマルチレベルセル(MLC) NAND型フラッシュメモリチップを製造することが可能だと説明している。

なお、同19nm 64Gb X2デバイスのサンプルを2011年第2四半期中に提供開始予定としており、量産開始を2011年下半期に予定している。また、量産と同時に、19nmプロセス技術を使用した3ビット/セル(X3)ベースの製品も提供する計画としている。