東芝は4月21日、19nmプロセスを用いた64GビットのNAND型フラッシュメモリを開発し、2011年4月末よりサンプル出荷を開始することを発表した。
東芝は4月21日、19nmプロセスを用いた64GビットのNAND型フラッシュメモリを開発し、2011年4月末よりサンプル出荷を開始することを発表した。同製品は2011年第3四半期(2011年7-9月期)より量産出荷を開始する予定としており、今後は、3ビット/セルの製品もラインアップに加える計画としている。
今回開発した64Gビット品は、10nm台のプロセスを採用することで、従来品よりもチップサイズを縮小することに成功している。このため、スマートフォンやタブレットPCで用いられている小型パッケージ内に16段まで積層することが可能となり、さらなる大容量製品の実現が可能となる。
なお、同製品のインタフェース仕様にはNAND型フラッシュメモリのToggle DDR2.0仕様を採用しており、データの高速転送を実現している。