STMicroelectronicsは、機器の電力効率を向上させることが可能な次世代スマート・パワー技術の実証に成功したことを発表した。同技術を活用することで、医療機器からハイブリッド・電気自動車用バッテリ・チャージャまで、幅広い電子機器において消費電力の低減が期待できるようになるという。

すでに同社では、大手医療機器メーカーと協力し、超音波スキャナ向け実証用チップを製造、同技術の有効性を確認したという。同チップは、数千チャネルが必要になる次世代スキャナに対応するため、100チャネル以上の処理が可能になっているが、同社では、現在、市場における最高クラスの技術を用いたとしても、このレベルの集積は不可能であり、現行の一般的なチップは8チャネルしか処理できないと説明している。

欧州では、EUがENIAC(欧州ナノエレクトロニクス・イニシアティブ諮問委員会)を通して、同分野の研究開発活動を推進してきた経緯があり、今回開発された技術もこれら先端研究開発プロジェクトの成果の1つとなっている。同技術の開発にあたっては、STとその他欧州におけるパートナー(企業・学術機関合計17団体)が「SmartPM(Smart Power Management in Home and Health)コンソーシアム」を結成、電力効率に対するニーズの高まりへの対応を進めてきた。同コンソーシアムには、ベルギー、フランス、ドイツ、アイルランド、イタリア、オランダ、ノルウェー、スペイン、スウェーデンの9カ国の企業・学術機関が参加している。

なお、同技術は、STのBCD(Bipolar-CMOS-DMOS)スマート・パワー半導体技術の次世代版で、SOI基板技術に0.16μmリソグラフィを組み合わせて実現される。これにより、完全な絶縁層分離を備えた高密度ロジック回路(1.8V/3.3V CMOS)と、パワーMOSFETトランジスタ(最大300V耐圧)、低ノイズ・デバイス、および高抵抗レジスタを含む部品ポートフォリオの融合が可能となり、従来のバルク・シリコン基板では不可能であったASICの実現に繋げることが可能となるという。