ルネサス エレクトロニクスは2月28日、エアコン、通信基地局やPCサーバ、太陽光発電など高出力のエレクトロニクス機器向けに、SiCを用いたパワー半導体・ショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を開発。同技術を用いた第1弾製品として600V耐圧の「RJS6005TDPP」を2011年3月末よりサンプル出荷することを発表した。サンプル価格は1個あたり5000円で、2011年10月から量産を開始し、2012年3月以降は第2弾製品などを含めて月産10万個規模の生産を予定している。

ルネサス エレクトロニクスが開発した低損失SiC-SBDの外観

同製品は、同社が従来用いていたSi製品に比べ、オン状態からオフ状態に切り換えた際に規定の電流値になるまでの時間(逆回復時間)を約40%高速し、15ns(標準値:測定条件IF=15A、di/dt=300A/□s)を実現した。これは、スイッチング速度の高速化により、電力損失を従来のSi素材製品から約40%低損失化したこととなる。

また、高温時にも逆回復時間の劣化が無く、高温環境下においても安定したスイッチング損失の低減を図ることが可能という特長もある。

さらに、従来のSi素材のファストリカバリダイオード(FRD)と比較して、SiC-SBDでは電圧(順方向電圧:VF)が低く、1.5Vを実現しているほか、温度依存性が小さいため、高温時にも安定した順方向電圧が得られるため、搭載機器の放熱対策部分の小型化が可能となる。

さらに、同製品は、業界標準パッケージであるTO-220フルモールド相当の外形を採用し、ピン配置も標準配置を採用しているため、従来のSi素材のダイオードを搭載していたユーザのセット基板にも実装することが可能だ。

なお同社では、同製品を含む600V耐圧・3A～30Aシリーズをラインアップし、1200V耐圧シリーズへの展開を図っていくほか、今後、積極的な拡販活動と併せて生産能力の拡大を推進していく方針を示している。