Cypress Semiconductorは、同社のQuad Data Rate(QDR)およびDouble Data Rate(DDR)SRAM「QDRII+/DDRII+」として36Mビットおよび18Mビット品を発表した。

今回発表された36Mビット品「CY712xxKV18」および18Mビット品「CY7C11xxKV18」のパッケージイメージ

これらの製品は、同社65nmプロセスSRAMファミリのラインアップで、90nmプロセス採用のSRAMに比べて消費電力を50%削減することが可能だ。

また、これらの新しいデバイスは、90nmのQDRII/QDRII+ SRAMに対して形状、適合、機能上の互換性を備えたもので、QDRコンソーシアムの仕様に完全準拠している。このため、既存製品の設計者は基板を再設計することなく簡単にシステム性能をアップグレードすることができるようになる。さらに、オンダイ終端(ODT)オプションがあるため、シグナルインテグリティの向上、システムコストの削減、および外付けの終端抵抗がなくなることによるボードスペースの節約が可能となる。

なお、36Mビット品「CY712xxKV18」および18Mビット品「CY7C11xxKV18」はすでに量産出荷を開始しており、各デバイスはI/O幅(×18または×36)、バースト長(B4またはB2)、およびレイテンシ(1.5、2.0、または2.5ns)による、さまざまなコンフィグレーションを入手することが可能だ。