エルピーダメモリは12月21日、同社の30nmプロセスを採用した2GビットDDR3 SDRAMを16個搭載した4GB DDR3 SO-DIMM「EBJ41UF8BDS0」のサンプル出荷を開始したことを発表した。2011年1～3月期の量産開始を予定している。

30nmプロセスを採用した4GBのDDR3 SO-DIMM

同モジュールの性能は、同社の40nm DRAMモジュールに比べ、実システム上で動作時電流を20%削減かつ待機時電流の30%削減を実現している。

また、データ転送速度は最大1866Mbpsを実現しているほか、電源電圧1.5V±0.075Vとなっている。

さらに、コスト面では、40nmから30nmへの移行に際し、製造プロセスの変更を最少にすることで新規投資を抑制したことで製造コストの低減も実現しており、高いコスト競争力を維持した製品と同社では説明している。