Freescale Semiconductorは、1.8～600MHzの動作に対応し、CO2レーザーやプラズマ発生器、磁気共鳴画像(MRI)スキャナなどのアプリケーションで生じるインピーダンス不整合状況での使用に最適化させたRF LDMOSパワー・トランジスタ「MRFE6VP6300H FET」を発表した。すでにサンプルの出荷を開始しており、量産開始は2010年第4四半期を予定している。

同製品は、電圧定在波比(VSWR)65:1の負荷に対して、300W CWの最大定格出力を供給する50V LDMOSトランジスタ。プッシュプル式またはシングルエンド式の構成で利用することが可能で、コンパクトなエアキャビティ・セラミックNI780-4パッケージで提供される。

130MHz動作時に、300W CWの出力を生成、25dBのゲイン、80%の効率を実現するほか、静電放電(ESD)保護機能を統合しているため、クラスIII医療機器への利用が可能であることに加え、ゲート・ソース間の電圧範囲(-6V～+10V)も十分なレベルで実現し、C級動作など高効率モードの動作時の性能を高めることが可能となっている。