エルピーダメモリは5月14日、40nmプロセスを採用した2GビットDDR Mobile RAMを開発したことを発表した。サンプル出荷は2010年6月から、量産出荷を2010年7月より予定している。
携帯機器には、チップの省スペース化や低消費電力化がDRAMにも要求されており、同社では回路設計、レイアウト設計の最適化および独自の設計手法を取り入れることにより、チップサイズ50mm2以下を実現。
これにより、従来同社50nmプロセス1Gビット品を使用しているカスタマは、同メモリを活用することで、同等の実装スペースで2倍の容量を実現できるようになるほか、50nmプロセス品比で動作電流を30%低減することに成功していることから、1Gビット品を2個搭載した場合に比べ、消費電力を半分以下に抑えることが可能となっている。
ピンあたりのデータ転送レートは400Mbpsで、データ幅は×16ビット/×32ビットに対応。
同社では、スマートフォンなどの携帯機器向けに2Gビットの需要が伸びてきており、同製品の早期立ち上げを目指すとしている。