MRAM(磁気メモリ)の開発企業であるEverspin Technologiesは、16MビットのMRAM「MR4A16B」のサンプル出荷を始めた。製品化されたMRAMとしては最大容量になる。

16Mビットと大容量のMRAM「MR4A16B」

「MR4A16B」はバス幅が16ビット。48ピンのBGAパッケージまたは54ピンのTSOPパッケージに封止してある。パッケージのピン配置と動作タイミングは非同期SRAMと互換性があり、非同期SRAMと同様に扱える。電源電圧は3.3V、アクセス時間は読み出しと書き込みがともに35nsである。消費電流は読み出し時が標準60mA、書き込み時が標準110mA。読み出し回数と書き換え回数は無制限。記憶したデータは電源を切っても消えない(不揮発性メモリ)。データの保持期間は20年。

動作温度範囲には0～70℃の品種(民生用)と-40℃～+85℃の品種(産業用)がある。量産は2010年7月に始める予定。

なおEverspin Technologiesは、Freescale SemiconductorのMRAM事業部門が独立して2006年に設立された。これまでに記憶容量が256Kビット～4MビットのMRAMを製品化している。