DRAMベンダの米Micron Technologyと台湾Nanya Technologyは2月8日(米国時間)、共同でCu配線ベースの42nmプロセス技術を用いて2GビットのDDR3 SDRAMを開発したことを発表した。2010年第2四半期にサンプル出荷を開始し、量産は2010年下半期を見込んでいる。

今回の42nmプロセスでは、従来世代の電圧1.5Vに対し、1.35Vを標準電圧としたことで、サーバ向けDRAMモジュールでは最大16GBまで搭載することが可能となるものの、放熱性の改善などが進み、結果として最大30%の消費電力の低減が可能となるという。また、メモリ速度は最大1,866Mbpsまで向上させることに成功している。

このほかMicronでは、Cu配線と独自開発のセルキャパシタ技術を活用することで、現在開発中の3Xnmプロセスの実用化に向けた取り組みを進めていくとしている。