エルピーダメモリは、同社とPowerchip Semiconductor(PSC)との合弁会社である台湾Rexchip Electronics(瑞晶電子)内に2010年第1四半期内にR&Dセンターを設立することを明らかにした。

設立当初は、次世代の4F2メモリセルを適用した40nmプロセスの前工程技術の共同開発を実施、その後、段階的にRexchipをPC向けDRAMの開発に特化した台湾での設計拠点とする計画としている。

エルピーダでは2009年末より、6F2メモリセルの40nmプロセス採用DRAMの量産を開始しており、広島の300mmウェハ対応工場「E300」(月産13万枚)の半分を同プロセス品に切り替える計画で、市況次第ではその比率を増やす予定。

Rexchipでも2010年に6F2の40nmプロセスへの移行および同技術を採用した2GビットDDR3製品の量産が計画されており、2010年末までに月産8万枚(300mm)のすべてを同プロセスへ切り替える予定。ただし、DRAMの需要が期待ほど伸びなかった場合は、生産能力の半分を40nmプロセス化し、残りを65nm XSプロセスへ転換する予定としている。

同6F2 40nmプロセス技術は、プロセスの微細化によるチップサイズの縮小により65nmプロセス比でチップコストを50%削減できるとしている。

なお、同プロセスは同社のビジネスパートナーであるPSCのほかWinbond Electronics、ProMOS Technologiesにも展開が予定されている。