Hynix Semiconductorは、同社の1Gビット DDR3 SDRAMとして54nmプロセスを採用した第2世代品の開発を完了、量産出荷を開始したことを明らかにした。

開発された第2世代DDR3 SDRAMとそれを搭載した2GBモジュール「HMT125S6TFR8C」

開発されたのは256Mワード×4ビット×8バンク構成の「H5TQ1G43TFR」ならびに128Mワード×8ビット×8バンク構成の「H5TQ1G83TFR」で、いずれもDDR3-1333に対応する。設計の変更により、1.5V駆動時で従来品比30%の電力消費低減を実現している。

また、このエコフレンドリな設計思想について、同社では将来的に40nmプロセスを採用した2GビットのDDR3 SDRAMにも適用する予定であるとしている。