Infineon Technologiesの日本法人であるインフィニオンテクノロジーズジャパンは、同社のパワーMOSFET「CoolMOS」の次世代シリーズとして「CoolMOS C6シリーズ」を発表した。

同シリーズは、第5世代のCoolMOSで、前世代CoolMOS「CoolMOS C3シリーズ」および「CoolMOS CPシリーズ」で実現したスイッチング速度の向上とオン抵抗の低減を同時に実現することが可能となる改良が施されている。

ゲート電荷の相互作用、電圧/電流スロープ、内部ゲート抵抗の調整により、ゲート抵抗が低く、0Ωとなった場合でも、過剰電圧や電流スロープの発生がない。また、C6デバイスのボディ・ダイオードは転流電流に対する耐久性が高く、高速ボディ・ダイオードの高価な部品を不要にすることが可能となる。

なお、CoolMOS C6シリーズはすでにサンプル出荷を開始、600Vデバイスと70mΩから3.3Ωまで対応するラインナップが用意されており、量産出荷は2009年8月からが予定されている。