米Rambusは5月26日(米国時間)、DDR3メモリと比較して、コンピュータのメインメモリ性能を向上させる統合テクノロジを発表した。

同統合テクノロジに含まれる主な技術としては、DDR3に搭載されているdirect strobing technologyと比較して、高速なデータ転送を実現する「FlexPhase Technology」、I/Oにかかる消費電力を抑制しながらも性能は維持できる「Near Ground Signaling」、DRAMに搭載されるDLLまたはPLLを必要とせずに、クロッキングにかかる電力を低減できるモバイルメモリ向け「FlexClocking Architecture」、メモリ効率の向上とDRAMのコア電力が削減でき、Near Ground Signaling、FlexClockingと組み合わせることで、メモリシステムの消費電力を従来比で40%近く低減することが可能な「Module Threading」、point-to-point signaling技術の応用により、メモリのキャパシティ増加を性能を落とすことなくサポートする「Dynamic Point-to-Point (DPP)」などとなっている。