台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)は、0.18μmのエンベデッド・フラッシュ(embFlash)プロセステクノロジーファミリの認定作業を終了したことを明らかにした。

同ファミリには、ベースラインとなる1.8Vから5Vのスタンダードプロセス、低リークプロセス、自動車向けに認定を取得したエンベデッド・フラッシュIPが含まれている。

ベースラインである0.18μm 1.8V/5V embFlashプロセスは、従来の5V I/Oインタフェースアプリケーションをサポートしており、動作電圧1.8Vの単一電源の低電圧フラッシュIPを特長としている。

また、0.18μmのUltra-Low-Leak(uLL)embFlashプロセスは、動作電圧1.8Vで、ベースラインプロセスと比べ95%のリーク低減を実現している。これにより、CPU、スタンダードセル・ライブラリ、SRAMのスタンバイ電流は、ベースラインプロセス比で、それぞれ85%、90%、95%低減される。低電力フラッシュIPは、最大80%の待機時電流と最大60%の動作時電流の低減が可能。フラッシュIPコンパイラについては、2009年第3四半期中に提供される予定という。

さらに、同ファミリの1つであるIP「High-Data-Retention(HDR)」は、1.8V/3.3Vで動作し、自動車向け品質要求規格「ACE-Q100」に準拠して認定されている。また、同社では、パワートレイン、セキュリティシステム、ボディシステムやインフォテイメントで求められる自動車の品質要求を満たすためのテスト手法も開発したという。

なお、同プロセスは、TSMCのCMOSプロセスにマスクを7枚追加するだけでエンベデッドフラッシュの機能を追加することができるようになるもので、同社のFab3で生産が行われるという。