Cypress Semiconductorは、低消費電力SRAM「64Mビット MoBL(More Battery Life) SRAM」および3M/6Mビット高速非同期SRAMを発表した。

これにより、同社の高速非同期ならびに低消費電力SRAMは、それぞれ4Kビットから32Mビット、64Kビットから64Mビットまでポートフォリオが提供されることとなる。

6Mビット品「CY62187EV30LL」は、4Mビット×16の構成で、標準待機電流は8μA、アクセス時間(taa)は55nsであり、RoHS準拠の48-BGAパッケージ(8.0mm×9.5mm×1.4 mm)で提供される。

64Mビット低消費電力SRAM「CY62187EV30LL」のチップ外観

3Mビット品「CY7C1024DV33」は、128Kビット×24の構成、6Mビット品「CY7C1034DV33」は、256Kビット×24の構成で、どちらもアクセス時間は10nsで、RoHS準拠、同社の90nmプロセス「C9 CMOSテクノロジ」を採用し、119-BGAパッケージオプションで供給される。

なお、3Mおよび6Mビット品は、すでに量産を開始しているほか、64Mビット品は現在サンプル出荷を開始しており、2009年6月より量産開始を予定している。