東京エレクトロン デバイス(TED)は2月17日、SLC(Single Level Cell)NAND型フラッシュメモリ(ブロックサイズ:256KB/512KB、ページサイズ:4KB)に対応したシステムブート機能内蔵NAND型フラッシュメモリコントロールIP「TE5553」を発表した。即日販売を開始、標準販売価格はライセンス料として700万円としている。

同IPは、これまでNOR型フラッシュメモリから実行する必要があったシステムブートをNAND型フラッシュメモリから実現することを可能とするもの。システム電源投入時に、ブートプログラムを所定のブロックからコントローラ内部のハードウェア部のバッファに読み出し、ホストCPUに内部バッファを開放することにより、ブートプログラムを実行する。その後、メインプログラムなどをNAND型フラッシュメモリから外部RAMなどのメモリに展開して、システムブートを実現する。

システム構成図およびブートの手順

また、容量は8Gビット～64Gビットの4KBページサイズの製品に対応。ブートプログラム用バッファは512KB/1KB/2KB/4KBから選択が可能なほか、NAND型フラッシュメモリは最大8個まで接続することが可能である。

さらに、誤り訂正機能としてソードソロモン符号方式による4シンボル訂正を採用。このほか、外部入力クロックは最大100MHz、ホストインタフェースが16ビット、フラッシュインタフェースが8/16ビット選択可能となっている。

なお、同社ではデジタルカメラ、カーナビなどの民生機器およびプリンタ、計測機器、監視カメラ、ドライブレコーダなどの業務用、産業用機器の製造メーカーを主要ターゲットとして、販売を行っていくとしている。