伊仏合弁の半導体ベンダであるSTMicroelectronicsと米Intel、米投資会社Francisco Partnersの3社が出資するメモリの合弁会社「Numonyx」は、45nmプロセス技術を用いた第7世代マルチレベルセル(MLC)のNOR型フラッシュメモリのサンプル品を開発したことを明らかにした。

開発されたフラッシュメモリは、容量1Gビットで、同社のメモリアーキテクチャ「StrataFlash」を基盤としたもの。データの書き込み速度は65nmプロセス品比で50%向上しているものの完全互換性を有しており、カスタマは従来のプラットフォームの延命のほか、大容量ストレージとXIP(Execute-in-Place:直接実行)メモリ能力のメリットを有する製品を短期間で市場に展開することが可能になるという。

また、同メモリの設計では、新たなSAC(Self-Aligned Contact:自己整合コンタクト)によるアプローチを取り入れることで、高い拡張性を実現しつつ、バックワードの互換性、ならびに高い品質と信頼性を実現したという。

なお、同製品は、一部サンプル出荷を開始しており、2009年中に正式発表、2010年に量産を開始する計画としている。