エルピーダメモリは12日、2.5Gbps動作が可能な1GビットDDR3 SDRAMを開発したことを発表した。サーバおよびハイエンドPC分野に向け、8月中にサンプル出荷を開始することを予定している。

開発された2.5Gbps動作対応1GビットDDR3 SDRAM

同製品は、配線プロセスを従来のAlからCuに変更したほか、設計としてCuの特性を生かせる新規回路を採用することで、動作周波数を従来品比25%高速化、消費電流を従来品比で最大22%低減している。

電圧規格とデータレートは、標準的な1.5Vで2.5Gbps、1.2Vで1.8Gbpsとなっている。同一チップで、ワイドレンジの動作電圧および周波数に対応しており、将来の低電圧・高速システムのほか、従来の標準電圧1.5Vのシステムとの互換性を実現している。

なお、同社では今後、プロセスのシュリンクを進めることで、さらなる高速化、低電圧化を図っていくとしている。