半導体製造装置大手の米Applied Materials(AMAT)は7日(現地時間)、ウェハのエッジ部の研磨とクリーニングを通じて欠陥の除去を実現するエッジ研磨装置「Applied Inflexion」を発表した。

同装置はウェハエッジ全体を研磨でき、有効なダイがより多く採れるようエッジ除外領域を最小化したまま、残膜や浅い表面欠陥を1回のパスで除去することが可能だ。

プラットフォームには最大3つのプロセスモジュールを組み込むことができ、スループットは他社エッジ研磨装置の2倍に達するとしている。

また、同社の枚葉式ウェットクリーニング装置「Desica」が組み込まれているほか、研磨テープと独自の研磨ヘッド技術を採することにより、ノッチ、ベベル、アペックス、表裏の除外領域からなるエッジ領域全体について、他のクリーニング方法では除去が難しいメタル/絶縁膜スタックの残膜などを非選択的に効率よく除去することができる。

さらに、同社の欠陥レビュー装置「Applied SEMVision G4」と併用することで、ウェハエッジ欠陥の除去、レビュー、解析を包括的に行うソリューションを得ることができ、特に液浸リソグラフィに伴うエッジ欠陥の特性把握と制御に効果を発揮するとしている。