米Freescale Semiconductorは、-40～105℃と広い動作温度範囲に対応したMRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)「MR2A16AV」を発表した。容量は4Mビット。すでにサンプル出荷を開始している。1万個購入時の1個あたりの価格は24.99ドル。産業、航空宇宙、自動車といった過酷な環境で動作する機器での利用を想定している。

MRAMは、従来のシリコン製の回路に磁気素材を組み合わせて製造する不揮発性メモリである。読み出し/書き出し時間がわずか3.5nsと高速で、データの書き込み回数に制限がないといった特徴がある。

今回発表になった「MR2A16AV」は、256Kワード×16ビットで構成される非同期メモリである。電源電圧は3.3V。パッケージはRoHS対応の400mil TSOP type IIで、SRAMと同じピン配列を採用している。

同社では、動作温度範囲が0～70℃で容量が1MビットのMRAM「MR0A16A」も同時に発表した。64Kワード×16ビット構成を取る非同期メモリで、民生機器で利用できる。1万個購入時の1個あたりの価格は9.99ドル。