米Intelは6月18日（現地時間）、「VLSIシンポジウム」に合わせる形で、すでに量産を開始してXeon 6への採用が行われている次期プロセス「Intel 3」について詳細を明らかにした。

  • 「Intel 3」プロセスの詳細について初めて言及 - 最大18%性能向上、すでにXeon 6量産中

今回明らかにされたのはIntel 3プロセスのバリアントや、Intel 4比での性能。最大10％高い密度で最大18％優れた性能を実現できるとしており、製品としてはXeon 6のコンピュートタイル製造に採用されている。2023年第4四半期には製造準備を完了しており、すでに量産が行われている。

また、Intel 3プロセスには「Intel 3-T」「Intel 3-E」「Intel 3PT」の3つのバリアントが存在することも発表された。

  • Intel 3-T：画像処理やHPC、AIなど複数の演算機やメモリを1つのパッケージに統合したい3Dスタッキング向けに、シリコン貫通ビア（TSV）を提供する。
  • Intel 3-E：外部インタフェースやアナログデバイス向けに豊富なI/Oセットを用意し、用途に幅を持たせることが可能。
  • Intel 3PT：すべての技術革新を統合したもので、よりピッチを詰めた9um TSVとハイブリッド・ボンディング・オプションをサポート。究極のFinFETベースのプロセスをうたう。

  • スライドはいずれもIntel発表ページから抜粋