SK hynixは1月24日、世界で最も高速なDRAM製品として、「LPDDR5T」を発表した。13%の性能向上が図られており、電力効率も改善。量産開始は2023年下半期にも予定しており、すでに製品サンプルをパートナー向けに提供したとしている。
9.6Gbpsの帯域幅を備え、2022年11月に発表されたLPDDR5Xよりも最大約13%高速だというDRAM製品。製品の特徴である高速性能を強調するべく、SK hynixは末尾に「Turbo」から取った「T」を追加。JEDECが定めた1.01~1.12Vの低電圧領域で動作し、高速性能にあわせて消費電力の低さもポイントになっているという。
LPDDR5Tの量産は10nm技術の第4世代である「1anm」を利用し、今年下半期にも開始予定。SK hynixは発表の中で、HKMG(High-K Metal Gate)プロセスで最高性能を実現したLPDDR5Tが、次期LPDDR6開発前に市場をリードしていくだろうと述べている。
画像はSK hynixより。