韓国Samsung Electronicsは11月7日（現地時間）、同社が独自に製造・開発する記憶域向け半導体の最新世代となる「第8世代V-NAND」の量産開始を発表した。業界最高ビット密度を実現し、さらなる大容量記憶領域を実現できるとしている。

  • Samsung、「第8世代V-NAND」量産開始へ - 世界最高レベルのビット密度

同社は第8世代V-NAND製品の量産について国際カンファレンス「Flash Memory Summit 2022」や「Samsung Memory Tech Day 2022」で明らかにしており、今回これらの発表を実際に履行した形。ウェハあたりの生産性を大幅に向上させることで業界最高のビット密度を実現したとしており、1テラビット（Tb）トリプルレベルセル（TLC）で構成。大幅な大容量化を実現している。

NANDフラッシュ規格としては最新のToggle DDR 5.0インタフェースをベースにしており、I/O速度は前世代比約1.2倍の2.4Gbpsへと高速化。PCIe 4.0、PCIe 5.0をも見据えた新世代の記憶域としての活用を見込むとしている。