SK hynixは8月2日、238層もの高密度化を実現するNANDフラッシュ製品の開発を発表した。サンプル出荷を開始しており、2023年前半の量産開始を予定するという。

  • 世界初の238層TLC 4D NAND Flash

SSDなどの記憶域に使われるNANDフラッシュにおいて、同社が2020年12月に開発した176層のNANDに続く製品。238層もの高密度化を実現しつつ、これまでで最も面積が小さくなっている点がポイント。176層のNANDよりも1枚のウェハーから多くのチップを生産できるようになり、約34%も生産性が高まっているという。

238層で製造される製品はまずPC向けのコンシューマー向け製品として採用され、その後スマートフォンやサーバー用の大容量SSDに提供される予定。2023年には1Tb(テラビット)の製品を投入し、現行の512Gb製品よりも密度を2倍に引き上げる予定だとしている。