韓国SK Hynixはこのほど、次世代グラフィックスメモリ「GDDR6」を発表した。同社が"2Znm"と呼称するプロセスルールにより製造された8Gbitモジュールで、従来のGDDR5から動作電圧の低減と高速化を実現するという。

「GDDR6」は、グラフィックスメモリとして利用されている「GDDR5」の後継となる規格。GDDR5よりも10%低い動作電圧で、速度を2倍に高速化したという。大原雄介氏の記事で指摘されているように、GDDR5の高速化したGDDR5Xと比べて、電力効率の改善が期待される。現在、半導体分野の標準化団体であるJEDECで標準化を策定中だ。

ピンあたりのデータ転送レート16Gbps。SK Hynixによると、384bit幅のメモリインタフェースを備えた次世代ハイエンドグラフィックスカードにおいて、最大768GB/sのデータ転送が可能だとしている。

また、SK Hynixは、2018年初頭に投入されるハイエンドグラフィックスカードに向けて、GDDR6の量産を計画しているという。