東芝は23日、世界初(2014年4月23日現在、東芝調べ)となる15nmプロセスのNANDフラッシュメモリを開発し、量産開始することを発表した。三重県の四日市工場にて4月末から順次、現行の19nm第二世代から切り替えていく。

15nmプロセスを用いたNANDフラッシュメモリ

今回のNANDフラッシュメモリは、2bit/セルの128Gbit(16GB)製品となる。現行世代の製品と比較して、書き込み速度はほぼ同等だが、高速インタフェース仕様を採用することによって、データ転送速度が1.3倍に向上したという(533Mbit/秒)。

さらに東芝では、15nmプロセスを用いた3bit/セルのNANDフラッシュメモリについても、2014年の第1四半期中の量産開始を計画している。同時に開発している高性能NANDコントローラを組み合わせることで、スマートフォンやタブレットPCなどへの搭載、そしてSSDの開発によるノートPCなどへの搭載を展開する考え。