東芝は31日、スマートフォンやタブレット向けとなる、19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの製品化を発表した。16GBと32GBのモデルを用意。11月下旬より量産を開始する。

最先端プロセスを用いた組み込み式NAND型フラッシュメモリ

e・MMCTM Version 5.0に準拠し、19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップと、コントローラチップを一体化したNAND型フラッシュメモリ。従来製品に比べて面積が22%小型化している。

高速インタフェース規格HS4000に対応し、コントローラの処理能力も向上。書き込み処理を最適化することにより、リード最大270MB/秒、ライト最大90MB/秒(16GBモデルは50MB/秒)での転送が可能。従来製品に比べリードが最大64%、ライトが38%(16GBは25%)高速化している。

4GB / 8GB / 64GB / 128GBモデルも順次量産を行うとのこと。パッケージサイズは32GBがW11.5×D14×H1mm、16GBがW11.5×D14×H0.8mm。