COMPUTEX TAIPEI 2013 - DDR4メモリモジュールのサンプル展示、DDR3のOCメモリはDDR3-3000の戦いへ

A-DATAブースでは、現行DDR3メモリの次の標準メモリモジュール規格「DDR4」対応のメモリが展示されていた。

DDR4メモリの登場は、2014年頃と見られる。DDR4メモリモジュールは、A-DATAブースのなかでもサーバ・ワークステーション向け製品コーナーに展示されており、R-DIMM、レジスタードDIMMであると見られる。チップ上に貼られたシールには、「ES SAMPLE」と書かれていた。

ブースでの説明によると、動作モードはDDR4-2133で、容量は8GBとされる。動作モード以外でのDDR3との違いは、ピン数や動作電圧など。まずピン数は284/288ピンとされ、現行DDR3 DIMMの240ピンよりも44本ほど増えることになる。モジュールの大きさとしてはほぼ同じであるため、ピン側の密度が高まる計算だ。動作電圧はVDD/VDDQ/VCCともに1.2Vとされており、これはDDR3の1.5Vはもちろん、DDR3Lの1.35Vと比べてもさらに低い。

ほか、現行のDDR3メモリでは、AMDのRichlandにより、DDR3-2133まではCPUのサポート範囲に入ったため、メモリメーカーのデモ機は、DDR3-2400以上が大半を占めていた。OCメモリでは、G.Skillが同社TRIDENT X(DDR3-3000)を用いDDR3-3252をデモしていた。製品レベルでは各社DDR3-3000前後で凌ぎ合っている。