米Intelと米Micron Technologyは14日(現地時間)、NAND型フラッシュメモリの製造に利用される20nmプロセス技術を発表した。同プロセス技術によって8GBの多値セル(MLC) NAND型フラッシュメモリが実現。20nmプロセスを採用した8GB品は現在サンプル出荷中の段階で、量産出荷は2011年後半を予定している。

同社の8GB品MLC NAND型フラッシュメモリのプロセス別サイズ比較

20nmプロセスによる今回の8GB品NANDフラッシュメモリは、両社の合弁会社IM Flash Technologiesが製造する。ダイサイズは約118平方mmと非常に小型化さらている。これは従来の25nmベースの8GB NANDと比較して、ボード面積では30～40%(パッケージの種類によって異なる)の削減という。サイズの縮小によって、SSDの大容量化や、スマートフォン、タブレット端末の設計自由度の向上などのメリットが見込める。

また、25nmプロセス品と同様の性能と耐久性を維持しつつ、プロセスの微細化によりファブの生産性は従来技術比で約50%向上(GB換算)すると両社では説明している。ほか両社は今後、米国の郵便切手より小さいサイズながら、最大128GB容量のSSDを設計できる16GB品のサンプル出荷も計画しているとのこと。