エルピーダメモリは6日、台湾ProMOS TechnologiesとDRAMの生産委託契約を締結した。

同契約では、エルピーダが供与する先端DRAMプロセス技術と製品技術により、ProMOSが台湾・台中の同社300mmファブにおいてエルピーダの1GビットDDR3 SDRAMを製造する。製品の試作は2010年前半に完了予定で、量産は2010年後半を計画している。

今回の契約締結の発表の中で、ProMOSの社長兼会長のDr. M.L.Chen氏は、「DRAM業界でもっともコスト競争力のあるエルピーダの1GビットDDR3製品を、ProMOSの300mmライン運営における強みを活かし製造することでシナジー効果を生む」とコメント。

エルピーダの代表取締役社長兼CEOの坂本幸雄氏も、「エルピーダの先端テクノロジとProMOSの効率の高い大規模生産能力との結合により、高性能/高品質なDRAMの供給が可能と確信している」と述べている。