エルピーダメモリは20日、x32ビット構成の1GビットXDR DRAMを製品化したと発表した。すでにサンプル出荷が行われており、量産は4月に開始される予定だ。
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今回製品化された65nmプロセスのXDR DRAMは、グラフィックスメモリで最速となるGDDR5をさらに上回る7.2GHzの超高速動作、1デバイスで28.2ギガバイト/秒のデータ転送レートを実現したもの。
1.5V低電圧駆動とx32ビットインターフェイスを採用することにより、x16ビット構成の512MビットXDR DRAMを2個搭載した場合と比較して、消費電力を35～40%削減したほか、チップの実装スペースも抑えている。同社では、ゲーム機やデジタルテレビ、Blu-ray Discレコーダーといった、フルHD対応により高いバンド幅を必要とする高性能アプリケーションに最適だとしている。
| 製造プロセス | 65nm CMOS |
|---|---|
| ピンあたりデータ転送レート | 7.2GHz |
| 6.4GHz | |
| 5E: 4.8GHz | |
| 4D: 4.0GHz | |
| 3C: 3.2GHz | |
| インターフェイス | DRSL(DQピン)、RSL(RQピン) |
| XDRテクノロジ | Octal Data Rate、DRSL、Flex Phase |
| 電源電圧(VDD/VTERM) | 1.5V/1.2V |
| 動作温度範囲 | 0～100度(Tj: ジャンクション温度) |
| パッケージ | 104ボールFBGA(x4/x8/x16) |
| 105ボールFBGA(x32) |
