IntelとSTMicroelectronicsは、PCM(Phase Change Memory:相変化メモリ)のプロトタイプサンプルの出荷を開始したと発表した。PCMはNOR型フラッシュメモリを置き換える次世代メモリデバイスと期待されている。
今回のプロトタイプは、両社がコードネーム「Alverstone」と呼ぶものであり、PCMにより読み込み速度・書き込み速度の高速化および低消費電力を実現している。また、1セルに2bit以上の情報を格納するMLC(multi-level cell)も用いており、ビット単価の引き下げと大容量化を実現しているとされる。Alverstoneは、90nmプロセスで製造されており、容量は128Mbit。
IntelとSTMicroelectronicsによる合弁会社「Numonyx」のCTO(Chief Technology Officer)に就任予定であるEd Doller氏は、今回の発表について、「ここ40年の中で最も意義深い不揮発メモリの進歩だ」と述べている。Numonyxは2008年第一四半期に設立される見込み。